2026年初，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體賽道資本熱度持續(xù)增長(zhǎng)，迎來(lái)新一輪融資熱潮，包括博瑞晶芯、遠(yuǎn)東卓越、黑芝麻智能、致瞻科技等在內(nèi)的15家企業(yè)，在設(shè)備、材料、先進(jìn)封裝、AI芯片、射頻、互聯(lián)芯片等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)獲得重要資金支持，高端芯片與半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域成為資本角逐的核心熱點(diǎn)，資本聚焦“卡脖子”環(huán)節(jié)集中發(fā)力。

 

　　隨著地方產(chǎn)業(yè)基金、知名創(chuàng)投及產(chǎn)業(yè)資本的持續(xù)涌入，資本正助力全產(chǎn)業(yè)鏈加速技術(shù)迭代與產(chǎn)能提升，有望推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)新一輪創(chuàng)新與增長(zhǎng)周期，其中存儲(chǔ)領(lǐng)域作為半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略核心環(huán)節(jié)受到資本廣泛關(guān)注，國(guó)內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)長(zhǎng)鑫科技近期披露招股書，擬登陸科創(chuàng)板，為提振資本對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的信心注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

　　行業(yè)上行紅利共享窗口或?qū)㈤_啟

　　DRAM作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心細(xì)分賽道，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、PC、服務(wù)器、智能汽車及AI設(shè)備等場(chǎng)景，是規(guī)模最大的存儲(chǔ)芯片品類。但長(zhǎng)期以來(lái)，該行業(yè)被三星、SK海力士、美光三大國(guó)際巨頭壟斷，形成穩(wěn)固的寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局。

　　DRAM產(chǎn)業(yè)集中度高，是技術(shù)、資本、生態(tài)壁壘與行業(yè)周期性共同作用的結(jié)果，三大巨頭通過數(shù)十年布局構(gòu)建難以逾越的“護(hù)城河”，也因此將新入局者擋在門外。技術(shù)上憑借海量專利構(gòu)筑專利壁壘;資本上依托重資產(chǎn)投入形成規(guī)模效應(yīng)，新進(jìn)入者難以承擔(dān)高額前期投入與持續(xù)研發(fā)成本，也難以抵御行業(yè)周期低谷沖擊;生態(tài)上則通過長(zhǎng)期深度綁定下游核心客戶、占據(jù)核心生態(tài)位，進(jìn)一步鞏固壟斷地位。

　　高企的行業(yè)壁壘不僅使整個(gè)產(chǎn)業(yè)僅有少數(shù)幾家廠商有實(shí)力參與，資本市場(chǎng)也同樣缺少存儲(chǔ)芯片標(biāo)的，讓市場(chǎng)投資者難以分享這一輪“存儲(chǔ)超級(jí)周期“帶來(lái)的行業(yè)紅利。投資者雖能清晰感知到DRAM賽道的長(zhǎng)期增長(zhǎng)潛力，卻始終面臨“看得見、摸不著”的投資困境。普通投資者無(wú)法直接參與核心企業(yè)的成長(zhǎng)，即便通過半導(dǎo)體ETF等間接工具布局，也因這類產(chǎn)品成分股覆蓋廣泛、賽道集中度低，難以精準(zhǔn)捕捉DRAM細(xì)分領(lǐng)域的紅利，更無(wú)法分享頭部企業(yè)從技術(shù)突破到產(chǎn)能放量的超額成長(zhǎng)溢價(jià)，只能被動(dòng)錯(cuò)失行業(yè)上行周期的核心價(jià)值。

　　而近期加快IPO進(jìn)程的長(zhǎng)鑫科技有望為市場(chǎng)打開參與存儲(chǔ)超級(jí)周期的機(jī)會(huì)。作為國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)DRAM規(guī)?；慨a(chǎn)的IDM企業(yè)，按產(chǎn)能和出貨量來(lái)看，長(zhǎng)鑫科技已躋身全球第四、中國(guó)第一，2025年第二季度全球市場(chǎng)份額升至3.97%，打破全球DRAM產(chǎn)業(yè)的三強(qiáng)壟斷格局。若長(zhǎng)鑫成功上市，將填補(bǔ)A股市場(chǎng)DRAM核心標(biāo)的的空白，成為普通投資者直接參與DRAM賽道的稀缺抓手——投資者可通過二級(jí)市場(chǎng)持倉(cāng)，深度參與企業(yè)成長(zhǎng)，既能夠分享全球DRAM行業(yè)周期復(fù)蘇、AI與智能汽車等新興場(chǎng)景需求擴(kuò)容的賽道紅利，也能捕捉公司技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)張、規(guī)模發(fā)展帶來(lái)的估值增長(zhǎng)空間，有望實(shí)現(xiàn)從“間接跟風(fēng)”到“精準(zhǔn)布局”的轉(zhuǎn)變，切實(shí)分享國(guó)產(chǎn)硬科技企業(yè)突破、發(fā)展的成長(zhǎng)果實(shí)。

　　核心“存儲(chǔ)標(biāo)的”成長(zhǎng)確定性明晰

　　技術(shù)突破是長(zhǎng)鑫科技打破壟斷、立足全球市場(chǎng)的核心底氣，公司始終以高強(qiáng)度研發(fā)投入推動(dòng)產(chǎn)品迭代，形成清晰的技術(shù)追趕路徑。長(zhǎng)鑫科技采取“跳代研發(fā)”策略，實(shí)現(xiàn)從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列產(chǎn)品覆蓋，截至2025年6月，公司累計(jì)研發(fā)投入達(dá)188.67億元，占累計(jì)營(yíng)業(yè)收入的33.11%，高研發(fā)強(qiáng)度為技術(shù)持續(xù)突破提供了堅(jiān)實(shí)保障。此次IPO，長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì)持續(xù)推進(jìn)研發(fā)投入、技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)充，持續(xù)強(qiáng)化產(chǎn)品供給能力，進(jìn)一步提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。

 

　　公開信息顯示，目前長(zhǎng)鑫科技已構(gòu)建起規(guī)?；a(chǎn)能力，在合肥、北京兩地?fù)碛?座12英寸DRAM晶圓廠，2022年至2025年上半年產(chǎn)能利用率從85.45%持續(xù)提升至94.63%的高位，產(chǎn)能規(guī)模穩(wěn)居中國(guó)第一、全球第四。

　　伴隨技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)釋放及上行周期，公司業(yè)績(jī)已迎來(lái)明確盈利拐點(diǎn)，根據(jù)其招股書，長(zhǎng)鑫科技營(yíng)收從2022年的82.87億元快速增長(zhǎng)至2025年前三季度的320.84億元;預(yù)計(jì)2025年全年凈利潤(rùn)將實(shí)現(xiàn)20億元至35億元的正向增長(zhǎng)，扣非歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)在28億元至30億元之間，實(shí)現(xiàn)根本性的盈利反轉(zhuǎn)，并有望在2026年實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健盈利。

　　從行業(yè)視角來(lái)看，長(zhǎng)鑫科技若成功上市，將成為A股市場(chǎng)唯一DRAM核心標(biāo)的，有望為資本市場(chǎng)提供國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)賽道及行業(yè)上行周期的重要切入點(diǎn)，為投資者布局國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體核心賽道打開關(guān)鍵窗口。方正證券分析指出，其規(guī)?；l(fā)展有望直接或間接帶動(dòng)本土供應(yīng)鏈企業(yè)技術(shù)升級(jí)，推動(dòng)設(shè)備、材料、封測(cè)等核心環(huán)節(jié)形成從終端制造到上游配套的產(chǎn)業(yè)協(xié)同，有望進(jìn)一步夯實(shí)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體全鏈條競(jìng)爭(zhēng)力。